概要

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中期事業計画

次世代半導体製造技術開発

概要

耐放射線性の環境負荷軽減材料として注目される鉄シリサイドで、既存シリコン半導体デバイス融合型の高集積デバイス製造技術を開発します。

これまでの取組

イオンビーム技術にて環境半導体薄膜の成長目的の創製装置を整備し、環境半導体鉄シリサイド薄膜創製の高い再現条件を見出しました。単結晶β-FeSi2の連続膜の作製に成功し、近赤外領域での発光を確認しました。

今後の取組と期待される成果

イオン照射にて環境半導体鉄シリサイド薄膜を創製し、異種物質の単結晶超薄膜の積層手法の有効性を実証します。また、シリコン一体型デバイス実現に向けた要素技術を開発します。これにより、シリコン基板上に電子デバイスと光デバイスを高集積化でき、電子と光の融合デバイスや放射線環境下で動作する電子デバイス、熱電材料、太陽電池等の新製品開発が期待されます。

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